氮化鋁陶瓷基板精密加工廠

    氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性（為氧化鋁陶瓷的 5-10倍），較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學(xué)性能，無(wú)毒，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，且與硅的熱膨脹系數(shù)相近，廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。鈞杰陶瓷可按客戶要求生產(chǎn)各種規(guī)格尺寸形狀的產(chǎn)品。鈞杰陶瓷具有現(xiàn)代化生產(chǎn)線及精密的檢測(cè)設(shè)備，嚴(yán)格按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)和組織生產(chǎn)。以誠(chéng)實(shí)待客、信譽(yù)為本的理念為廣大客戶提供高質(zhì)量的產(chǎn)、與全國(guó)各地眾多的客戶建立了良好的業(yè)務(wù)關(guān)系，得到了許多客戶的信任和好評(píng)，鈞杰陶瓷以信賴的服務(wù)與廣大用戶建立并保持了長(zhǎng)久良好的合作關(guān)系。我們誠(chéng)邀社會(huì)各界新老朋友光臨指導(dǎo)、加深了解、真誠(chéng)合作。咨詢鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：136 998 99025。

  氮化鋁（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導(dǎo)率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點(diǎn)，化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無(wú)色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
  氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，無(wú)毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
1、氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2、氮化鋁陶瓷基片，耐化學(xué)腐蝕，熱導(dǎo)率高，介電損耗小，強(qiáng)度高，膨脹系數(shù)低，耐高溫，電阻率高，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
3、氮化鋁陶瓷硬度高,超過(guò)傳統(tǒng)氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價(jià)高,只能用于磨損嚴(yán)重的部位。
4、主要是利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件，利用光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁陶瓷薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。
5、氮化鋁陶瓷材料耐熱、耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐熔融金屬的侵蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。
  主要應(yīng)用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。特點(diǎn)：熱導(dǎo)率高、電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近、無(wú)毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。鈞杰陶瓷常年致力于從事特種陶瓷材料的技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造以及現(xiàn)場(chǎng)施工，確保為用戶提供優(yōu)質(zhì)的特種陶瓷防腐材料及工程服務(wù)。咨詢鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：136 998 99025。